EN
AR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
TL
ID
SK
SL
UK
VI
TH
TR
AF
MS
SW
GA
CY
BE
KA
LO
LA
MI
MR
MN
NE
UZ
- Tổng quan
- Truy vấn
- Sản phẩm liên quan
Xử Lý Khô Lớp Oxide Dựa Trên Vật Liệu Khí Nén Chất Lỏng Perfluoro 2 butyne H 2316 Perfluoro2butyne C4F6
Hexafluoro1,3‐butadiene là một khí nén lỏng dễ cháy, không màu, không mùi và có tính độc hại
Nhiều năm nghiên cứu đã cho thấy rằng C4F6 (H-2316) mang lại nhiều lợi thế cho quá trình etching khô của các vật liệu dựa trên oxit:
Nó có tốc độ etching và khả năng chọn lọc cao hơn so với octafluorocyclobutane (c-C4F8 – H318), một chất etching khác được sử dụng rộng rãi cho oxit silic. Khác với C4F8 (H318), khi sử dụng C4F6 (H2316), chỉ có substrat dielectric bị etching. Cấu trúc etching có tỷ lệ khía cao hơn, dẫn đến các rãnh hẹp hơn so với c-C4F8. Phát thải VOC được giảm thiểu: C4F6 (H2316) có tiềm năng làm ấm trái đất thấp vì nó tồn tại trong khí quyển trong thời gian ngắn hơn nhiều.
Ứng dụng:
Thế hệ tiếp theo của các vật liệu lõi cần thiết trong quy trình sản xuất LSI để tối thiểu hóa chiều rộng và độ sâu của đường mạch. Khí etching khô được sử dụng trong quá trình etching của lỗ tiếp xúc vi mô. Đối với các loại khí đặc biệt dựa trên công thức hóa học CxFy, giá trị F/C càng nhỏ thì càng sản sinh nhiều nhóm CF2. So với C2F6 và C3F8, C4F6 có tỷ lệ F/C nhỏ hơn và tạo ra nhiều nhóm CF2 hơn, từ đó etching nhiều hơn lớp phim oxit. Do đó, C4F6 có tính chọn lọc cao hơn đối với lớp phim oxit và cho phép etching đồng đều hơn.
