ArF F2 Argônio Mistura Laser Gás Para Alcon Allegretto Wavelight 400Hz Excimer Laser Gás cilindro
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ArF F2 Mistura de argônio Laser Gas para Alcon Allegretto Wavelight 400Hz
As misturas de gases Excimer Laser são uma combinação de gases raros (argônio, criptônio, xenônio ou néon) e gases halogênio (flúor ou cloro). A mistura de gases determina o comprimento de onda da luz DUV produzida. Argônio+flúor+neon (193nm) e Krypton+flúor+neon (248nm) são as duas misturas mais comuns usadas. Em termos de volume; o néon representa aproximadamente 96–97.5% da mistura.
As misturas de gases Excimer Laser são uma combinação de gases raros (argônio, criptônio, xenônio ou néon) e gases halogênio (flúor ou cloro). A mistura de gases determina o comprimento de onda da luz DUV produzida. Argônio+flúor+neon (193nm) e Krypton+flúor+neon (248nm) são as duas misturas mais comuns usadas. Em termos de volume; o néon representa aproximadamente 96–97.5% da mistura.
Categoria | Componente (%) | Gás de equilíbrio |
Gás de mistura de laser He-Ne | 2~8.3 Ne | He |
Gás de mistura de laser CO2 | 0.4H2+ 13.5CO2+ 4.5Kr | / |
0.4 H2+ 13CO2+ 7Kr+ 2CO | ||
0.4 H2+ 8CO2+ 8Kr+ 4CO | ||
0.4 H2+ 6CO2+ 8Kr+ 2CO | ||
0.4 H2+ 16CO2+ 16Kr+ 4CO | ||
0.4 H2+ 8~12CO2+ 8~12Kr | ||
Gás de mistura de laser Kr-F2 | 5 Cr+ 10 F2 | / |
5 Cr+ 1~0.2 F2 | ||
Gás laser de feixe selado | 18.5N2+ 3Xe+ 2.5CO | / |
Excimer Laser | 25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 1F2 | Ar |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5F2 | He | |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 0.2F2 | He | |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5HCl | A |
Gases Excimer para modelos parciais | ||||||
Marcas | Wavelength | Cilindro | Valve | |||
COERENTE | 193nm | 20 L | DIN 8 | |||
B&L | 193nm | 20 L / 50 L | DIN 8/ DIN 14 | |||
ZEISS | 193nm | 10L/20L | DIN 8 | |||
VISX | 193nm | 16 L | CGA 679 | |||
NIDEK | 193nm | 16 L | CGA 679 | |||
MIRA LASER | 193nm | 10 L | CGA 679 | |||
Alcon | 193nm | 16 L | CGA 679 | |||
SCHWIND | 193nm | 20 L | DIN 8/ DIN 14 | |||
SUMMIT | 193nm | 16 L | CGA 679 |
Outras aplicações do laser ArF incluem a produção de circuitos integrados semicondutores. Também facilita a análise in situ de amostras minerais com base no processo de ablação.
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