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Gás C4F6 de Alta Pureza 99.999% Grau Eletrônico para Uso em Semicondutores Gás Octafluorociclobutano
- Visão Geral
- Investigação
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Revestimento a Seco de Materiais à Base de Óxido Gases Liquefeitos Comprimidos Perfluoro 2 butina H 2316 Perfluoro2butina C4F6
Hexafluoro1,3‐butadieno é um gás comprimido liquefeito tóxico, incolor, inodoro, inflamável
Anos de pesquisa mostraram que C4F6 (H-2316) apresenta várias vantagens para o revestimento a seco de materiais à base de óxido:
Ele possui uma taxa de gravura e selectividade maiores do que o octafluorociclobutano (c-C4F8 – H318), outro agente de gravura amplamente utilizado para óxido de silício. Ao contrário do C4F8 (H318), com C4F6 (H2316), apenas o substrato dielétrico é gravado. A estrutura gravada tem uma razão de aspecto maior, resultando em trincheiras mais estreitas em comparação com o c-C4F8. As emissões de COV são reduzidas: o C4F6 (H2316) tem um potencial de aquecimento global baixo porque tem uma vida útil muito menor na atmosfera.
Aplicação:
A próxima geração de materiais de núcleo necessários nos processos de produção de LSI para minimizar a largura e a profundidade das linhas do circuito. O gás de gravação a seco é usado em um processo de gravação de micro furos de contato. Para gases especiais baseados na fórmula química CxFy, quanto menor o valor de F/C, mais grupos CF2 são produzidos. Em comparação com C2F6 e C3F8, o C4F6 tem uma proporção F/C menor e produz mais grupos CF2, o que por sua vez, grava mais filme de óxido. Portanto, o C4F6 tem uma maior selectividade ao filme de óxido e permite uma gravação mais uniforme.
