Categoria eletrônica da pureza alta 99.999% para o gás Octafluorocyclobutane do uso do semicondutor C4F6

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Os materiais baseados em óxido de gravura a seco comprimiram gases liquefeitos Perfluoro 2 butino H 2316 Perfluoro2butyne C4F6

Hexafluoro1,3-butadieno é um gás comprimido liquefeito tóxico, incolor, inodoro e inflamável

Anos de pesquisa mostraram que o C4F6 (H-2316) apresenta diversas vantagens para o ataque a seco de materiais à base de óxido:

Possui taxa de ataque e seletividade mais altas que o octafluorociclobutano (c-C4F8 – H318), outro agente de ataque amplamente utilizado para óxido de silício. Ao contrário do C4F8 (H318), com o C4F6 (H2316), apenas o substrato dielétrico é gravado. A estrutura gravada tem uma proporção de aspecto mais alta, levando a trincheiras mais estreitas em comparação com c-C4F8. As emissões de COV são reduzidas: C4F6 (H2316) tem baixo potencial de aquecimento global porque tem uma vida útil muito mais curta na atmosfera.

Aplicação:

A próxima geração de materiais de núcleo necessários nos processos de produção LSI para minimizar a largura e profundidade da linha do circuito. O gás de gravação a seco é usado em um processo de gravação de microfuros de contato. Para gases especiais baseados na fórmula química CxFy, quanto menor o valor F/C, mais grupos CF2 são produzidos. Comparado ao C2F6 C3F8, o C4F6 tem uma relação F/C menor e produz mais grupos CF2, que por sua vez, gravam mais filme de óxido. Portanto, o C4F6 possui maior seletividade ao filme de óxido e permite um ataque mais uniforme.