Miscela di gas laser ArF F2 Argon per bombola di gas laser ad eccimeri Alcon Allegretto Wavelight 400Hz Italia
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ArF F2 Argon Mixture Laser Gas For Alcon Allegretto Wavelight 400Hz
Le miscele di gas del laser ad eccimeri sono una combinazione di gas rari (argon, kripton, xeno o neon) e gas alogeni (fluoro o cloro). La miscela di gas determina la lunghezza d'onda della luce DUV prodotta. Argon+fluoro+neon (193nm) e Krypton+fluoro+neon (248nm) sono le due miscele più comunemente utilizzate. In termini di volume; il neon costituisce circa il 96–97.5% della miscela.
Le miscele di gas del laser ad eccimeri sono una combinazione di gas rari (argon, kripton, xeno o neon) e gas alogeni (fluoro o cloro). La miscela di gas determina la lunghezza d'onda della luce DUV prodotta. Argon+fluoro+neon (193nm) e Krypton+fluoro+neon (248nm) sono le due miscele più comunemente utilizzate. In termini di volume; il neon costituisce circa il 96–97.5% della miscela.
Categoria |
Componente (%) |
Bilanciamento del gas |
Gas della miscela laser He-Ne |
2~8.3 Ne |
He |
Miscela di gas laser CO2 |
0.4H2+ 13.5CO2+ 4.5Kr |
/ |
0.4 H2+ 13CO2+ 7Kr+ 2CO |
||
0.4 H2+ 8CO2+ 8Kr+ 4CO |
||
0.4 H2+ 6CO2+ 8Kr+ 2CO |
||
0.4 H2+ 16CO2+ 16Kr+ 4CO |
||
0.4 H2+ 8~12CO2+ 8~12Kr |
||
Miscela di gas laser Kr-F2 |
5 Kr+ 10 F2 |
/ |
5 Kr+ 1~0.2 F2 |
||
Gas laser a raggio sigillato |
18.5N2+ 3Xe+ 2.5CO |
/ |
Laser ad eccimeri |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 1F2 |
Ar |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5F2 |
He |
|
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 0.2F2 |
He |
|
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5HCl |
A |
Gas ad eccimeri per modelli parziali |
||||||
Brand |
lunghezza d'onda |
Cilindro |
Valve |
|||
COERENTE |
193nm |
20 L |
DIN 8 |
|||
B&L |
193nm |
20 L / 50 L |
DIN8/DIN14 |
|||
ZEISS |
193nm |
10 l/20 l |
DIN 8 |
|||
VISX |
193nm |
16 L |
GC 679 |
|||
NIDEK |
193nm |
16 L |
GC 679 |
|||
VISTA LASER |
193nm |
10 L |
GC 679 |
|||
Alcon |
193nm |
16 L |
GC 679 |
|||
SCHWIND |
193nm |
20 L |
DIN8/DIN14 |
|||
SUMMIT |
193nm |
16 L |
GC 679 |
Altre applicazioni del laser ArF includono la produzione di circuiti integrati a semiconduttore. Facilita inoltre l'analisi in situ di campioni minerali basata sul processo di ablazione.
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