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Gaz laser à mélange d'argon ArF F2 pour cylindre de gaz laser excimer Alcon Allegretto Wavelight 400 Hz
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Mélange de gaz laser à l'argon ArF F2 pour Alcon Allegretto Wavelight 400 Hz
Les mélanges de gaz laser Excimer sont une combinaison de gaz rares (argon, krypton, xénon ou néon) et de gaz halogènes (fluor ou chlore). Le mélange de gaz détermine la longueur d’onde de la lumière DUV produite. Argon+fluor+néon (193 nm) et Krypton+fluor+néon (248 nm) sont les deux mélanges les plus couramment utilisés. En termes de volume ; le néon représente environ 96 à 97.5 % du mélange.
Les mélanges de gaz laser Excimer sont une combinaison de gaz rares (argon, krypton, xénon ou néon) et de gaz halogènes (fluor ou chlore). Le mélange de gaz détermine la longueur d’onde de la lumière DUV produite. Argon+fluor+néon (193 nm) et Krypton+fluor+néon (248 nm) sont les deux mélanges les plus couramment utilisés. En termes de volume ; le néon représente environ 96 à 97.5 % du mélange.
Catégories | Composante (%) | Gaz d’équilibre |
Mélange de gaz laser He-Ne | 2~8.3 Né | He |
Mélange de gaz laser CO2 | 0.4H2+ 13.5CO2+ 4.5Kr | / |
0.4 H2+ 13CO2+ 7Kr+ 2CO | ||
0.4 H2+ 8CO2+ 8Kr+ 4CO | ||
0.4 H2+ 6CO2+ 8Kr+ 2CO | ||
0.4 H2+ 16CO2+ 16Kr+ 4CO | ||
0.4 H2+ 8~12CO2+ 8~12Kr | ||
Mélange de gaz laser Kr-F2 | 5 Kr+ 10 F2 | / |
5 Kr+ 1~0.2 F2 | ||
Gaz laser à faisceau scellé | 18.5N2+ 3Xe+ 2.5CO | / |
Laser excimer | 25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 1F2 | Ar |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5F2 | He | |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 0.2F2 | He | |
25.8Ne+ 9.8Ar+ 0.004N2+ 5HCl | A |
Gaz Excimer pour modèles partiels | ||||||
Marque | Longueur des ondes | cylindre | Valve | |||
COHÉRENT | 193nm | 20 L | DIN 8 | |||
B&L | 193nm | 20 L / 50 L | DIN 8/DIN 14 | |||
ZEISS | 193nm | 10L/20L | DIN 8 | |||
VISX | 193nm | 16 L | CGA679 | |||
NIDEK | 193nm | 16 L | CGA679 | |||
VISÉE LASER | 193nm | 10 L | CGA679 | |||
Alcon | 193nm | 16 L | CGA679 | |||
SCHWIND | 193nm | 20 L | DIN 8/DIN 14 | |||
SUMMIT | 193nm | 16 L | CGA679 | |||
D'autres applications du laser ArF incluent la production de circuits intégrés à semi-conducteurs. Il facilite également l’analyse in situ d’échantillons minéraux basée sur le processus d’ablation.
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