EN
AR
CS
DA
NL
FI
FR
DE
EL
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
TL
ID
SK
SL
UK
VI
TH
TR
AF
MS
SW
GA
CY
BE
KA
LO
LA
MI
MR
MN
NE
UZ
Grado electrónico de pureza elevada 99.999% para uso de semiconductores Gas C4F6 Gas octafluorociclobutano
- Resumen
- Consulta
- Productos que le pueden interesar
Materiales a base de óxido de grabado seco Gases licuados comprimidos Perfluoro 2 butino H 2316 Perfluoro2butino C4F6
El hexafluoro1,3-butadieno es un gas comprimido licuado tóxico, incoloro, inodoro e inflamable.
Años de investigación han demostrado que el C4F6 (H-2316) presenta varias ventajas para el grabado en seco de materiales a base de óxido:
Tiene una velocidad de grabado y una selectividad más altas que el octafluorociclobutano (c-C4F8 – H318), otro grabador ampliamente utilizado para el óxido de silicio. A diferencia del C4F8 (H318), con el C4F6 (H2316), sólo se graba el sustrato dieléctrico. La estructura grabada tiene una relación de aspecto más alta, lo que genera zanjas más estrechas en comparación con el c-C4F8. Las emisiones de COV se reducen: el C4F6 (H2316) tiene un bajo potencial de calentamiento global porque tiene una vida útil mucho más corta en la atmósfera.
Aplicación:
La próxima generación de materiales centrales necesarios en los procesos de producción de LSI para minimizar el ancho y la profundidad de la línea del circuito. El gas de grabado seco se utiliza en un proceso de grabado de microorificios de contacto. Para gases especiales basados en la fórmula química CxFy, cuanto menor es el valor F/C, más grupos CF2 se producen. En comparación con el C2F6 y el C3F8, el C4F6 tiene una relación F/C más pequeña y produce más grupos CF2, lo que a su vez graba más película de óxido. Por lo tanto, C4F6 tiene una mayor selectividad hacia la película de óxido y permite un grabado más uniforme.
