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Alta Pureza 99.999% Grado Electrónico para Uso en Semiconductores C4F6 Gas Octafluorociclobutano Gas
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Grabado en Seco de Materiales Basados en Óxidos Gases Líquidos Comprimidos Perfluoro 2 butina H 2316 Perfluoro2butina C4F6
El hexafluoro-1,3-butadieno es un gas comprimido licuado tóxico, incoloro, insípido e inflamable.
Años de investigación han demostrado que el C4F6 (H-2316) presenta varias ventajas para la etching seca de materiales basados en óxidos:
Tiene una velocidad de etching y selectividad mayores que el octafluorociclobutano (c-C4F8 - H318), otro agente de etching ampliamente utilizado para el óxido de silicio. A diferencia del C4F8 (H318), con C4F6 (H2316), solo se etcha el sustrato dieléctrico. La estructura etchada tiene una mayor relación de aspecto, lo que lleva a trincheras más estrechas en comparación con el c-C4F8. Las emisiones de COV se reducen: el C4F6 (H2316) tiene un bajo potencial de calentamiento global porque tiene una vida útil mucho más corta en la atmósfera.
Aplicación:
La siguiente generación de materiales de núcleo requeridos en los procesos de producción de LSI para minimizar el ancho y la profundidad de las líneas del circuito. El gas de etching seco se utiliza en un proceso de etching de micro contactos. Para gases especiales basados en la fórmula química CxFy, cuanto menor sea el valor de F/C, más grupos CF2 se producen. En comparación con C2F6 y C3F8, el C4F6 tiene una relación F/C más baja y produce más grupos CF2, lo cual a su vez etcha más película de óxido. Por lo tanto, el C4F6 tiene una mayor selectividad para la película de óxido y permite un etching más uniforme.
