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Hochreines 99.999 %iges Octafluorcyclopenten für Halbleiter-4N-C5F8-Gas

Name des Produkts: Octafluorcyclopenten Reinheit: 99.999%
CAS-Nr 559-40-0 EINECS Nr 209-203-0
MF: C5F8 Zylinderpaket: 10L / 16L / 20L
UN-Nr.: UN2810 Gefahrenklasse 6.1 – Gift
Richtiger Versandname (DOT): Giftig, Flüssigkeiten, organisch, nein Geruch geruchlos
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Produkte Beschreibung
Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für Halbleiter 4N C5F8 Gaslieferant
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Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für Halbleiter 4N C5F8 Gasfabrik
C5F8Octafluorcyclopenten-Gas

Wird häufig im Ätzprozess bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet, insbesondere für die Größe und das selektive Ätzen kleinster geometrischer Merkmale (z. B. der Breite von Verbindungsleitungen, Kontakten, Gräben usw.).
Name des Produkts:
Octafluorcyclopenten
Reinheit:
99.999%
CAS-Nr
559-40-0
EINECS Nr
209-203-0
MF:
C5F8
Zylinderpaket:
10L / 16L / 20L
UN-Nr.:
UN2810
Gefahrenklasse
6.1 – Gift
Richtiger Versandname (DOT):
Giftig, Flüssigkeiten, organisch, nein
Geruch
geruchlos
Property Name
Eigentumswert

Molekulargewicht

212.04
XLogP3-AA
2.1
Wasserstoffbindungs-Donor-Zählung
0
Anzahl der Akzeptoren von Wasserstoffbindungen
8
Drehbare Anzahl der Bindungen
0
Genaue Masse
211.98722530
Monoisotopische Masse
211.98722530
Topologische polare Oberfläche
0 Ų
Schwere Atomzahl
13
Formale Ladung
0
Komplexität
248
Isotop Atomzahl
0
Definierte Atom-Stereozentrum-Zählung
0
Undefinierter Atom Stereocenter Count
0
Definierte Bond-Stereozentrum-Zählung
0
Undefiniertes Bond-Stereozentrum
0
Kovalent gebundene Einheitszahl
1
Verbindung ist Canonicalized
Ja
Anwendungs-
Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für die Herstellung von Halbleiter-4N C5F8-Gas
v
Verpackung und Versand
Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für Halbleiter 4N C5F8 Gasfabrik
b
FAQ
4
Darum wir
3
Über uns
Hochreines 99.999 % Octafluorcyclopenten für Halbleiter 4N C5F8 Gasdetails
Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für Halbleiter 4N C5F8 Gasfabrik
Hohe Reinheit 99.999 % Octafluorocyclopentene für die Herstellung von Halbleiter-4N C5F8-Gas

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