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Hochreines 99.999 % elektronisches Gas für Halbleiteranwendungen, C4F6-Gas, Octafluorcyclobutan-Gas
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Trockenätzmaterialien auf Oxidbasis, komprimierte verflüssigte Gase, Perfluor-2-butin H 2316, Perfluor2-butin C4F6
Hexafluor-1,3-butadien ist ein giftiges, farbloses, geruchloses und brennbares verflüssigtes Druckgas
Jahrelange Forschung hat gezeigt, dass C4F6 (H-2316) mehrere Vorteile für das Trockenätzen von Materialien auf Oxidbasis bietet:
Es hat eine höhere Ätzrate und Selektivität als Octafluorcyclobutan (c-C4F8 – H318), ein weiteres häufig verwendetes Ätzmittel für Siliziumoxid. Im Gegensatz zu C4F8 (H318) wird bei C4F6 (H2316) nur das dielektrische Substrat geätzt. Die geätzte Struktur hat ein höheres Seitenverhältnis, was im Vergleich zu c-C4F8 zu schmaleren Gräben führt. VOC-Emissionen werden reduziert: C4F6 (H2316) hat ein geringes Treibhauspotenzial, da es eine viel kürzere Lebensdauer in der Atmosphäre hat.
Anwendung:
Die nächste Generation von Kernmaterialien, die in LSI-Produktionsprozessen benötigt werden, um die Breite und Tiefe der Schaltkreisleitungen zu minimieren. Das Trockenätzgas wird in einem Ätzprozess von Mikrokontaktlöchern verwendet. Bei Spezialgasen, die auf der chemischen Formel CxFy basieren, gilt: Je kleiner der F/C-Wert, desto mehr CF2-Gruppen werden erzeugt. Im Vergleich zu C2F6 C3F8 hat C4F6 ein kleineres F/C-Verhältnis und produziert mehr CF2-Gruppen, was wiederum mehr Oxidfilme ätzt. Daher hat C4F6 eine höhere Selektivität für den Oxidfilm und ermöglicht eine gleichmäßigere Ätzung.
