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Hohe Reinheit 99.999% Elektronenqualität für Halbleiteranwendungen C4F6 Gas Oktafluorzyklobutan Gas
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Trockenes Etzen oxidsbasierter Materialien Komprimierte verflüssigte Gase Perfluoro-2-Butyn H 2316 Perfluoro-2-Butyn C4F6
Hexafluoro-1,3-Butadien ist ein toxisches, farbloses, geruchloses, brennbares verflüssigtes komprimiertes Gas
Jahre der Forschung haben gezeigt, dass C4F6 (H-2316) mehrere Vorteile für das trockene Etzen oxidsbasierter Materialien bietet:
Es hat eine höhere Etchrate und Selektivität als Octafluorcyclobutan (c-C4F8 – H318), ein weiterer weit verbreiteter Etchant für Siliziumoxid. Im Gegensatz zu C4F8 (H318) wird mit C4F6 (H2316) nur das dielektrische Substrat etziert. Die etzierte Struktur hat ein höheres Seitenverhältnis, was zu schmaleren Gräben im Vergleich zu c-C4F8 führt. VOC-Emissionen werden reduziert: C4F6 (H2316) hat ein geringeres globales Erwärmungspotenzial, da es eine viel kürzere Halbwertszeit in der Atmosphäre hat.
Anwendung:
Die nächste Generation von Kernmaterialien, die in LSI-Produktionsprozessen benötigt werden, um die Schrittbreite und -tiefe der Schaltkreise zu minimieren. Das Trocknetzgas wird in einem Etzprozess für mikroskopische Kontakthohlen verwendet. Bei speziellen Gasen auf Basis der CxFy-Formel produzieren je kleiner der F/C-Wert ist, desto mehr CF2-Gruppen. Im Vergleich zu C2F6 und C3F8 hat C4F6 einen kleineren F/C-Verhältnis und produziert mehr CF2-Gruppen, die ihrerseits mehr Oxidfilm etzen. Daher hat C4F6 eine höhere Selektivität gegenüber dem Oxidfilm und ermöglicht eine gleichmäßigere Etzung.
